Samsung Electronics e Broadcom assinaram um memorando de entendimento em 24 de julho para uma parceria estratégica estimada em mais de $200 bilhões até 2030, cobrindo suprimento de memória de alto ancho de banda e serviços avançados de foundry. Samsung fornecerá memória HBM4 e HBM4E de próxima geração para alimentar os próximos aceleradores de IA da Broadcom, enquanto seu braço de foundry fabrica os produtos da Broadcom em processos de 2 nanômetros e abaixo. O acordo também cobre empacotamento avançado 2.3D e 2.5D para integração mais próxima de memória-para-lógica.
O acordo reflete suprimento de memória de IA apertado: a escassez global de memória aumentou preços de DRAM e NAND em 50–95% trimestre a trimestre no início de 2026, com suprimento esperado permanecendo restrito até 2027. Samsung, que ficou para trás nos rendimentos de HBM inicialmente, agora co-desenvolve HBM4E (visando 64GB, empilhamento de 16 camadas, pinos de 16Gbps) para competir com o bloqueio de suprimento de SK Hynix com Nvidia. Broadcom ganha resiliência de suprimento e acesso às capacidades integradas verticalmente de memória e empacotamento da Samsung para chips de IA customizados.
Parte de um pacote maior de cooperação de semicondutores Coreia–US de $950 bilhões anunciado no mesmo dia—com SK Hynix comprometendo $750 bilhões apenas para Nvidia. Para arquitetos, isso estabiliza disponibilidade de HBM para ecossistemas não-Nvidia (AMD, aceleradores customizados Broadcom) e sinaliza o retorno da Samsung como fornecedor de memória premium credível após anos de perder quota para competidores.