Micron Technology colocou a pedra fundamental em 4 de julho de 2026 em uma expansão de ¥1,5 trilhões (US$9,3 bilhões) de sua fábrica na Prefeitura de Hiroshima no oeste do Japão para produzir memória de alta largura de banda (HBM) e DRAM de próxima geração. O Ministério da Economia, Comércio e Indústria (METI) do Japão está fornecendo até ¥500 bilhões (~US$3,2 bilhões) em subsidíios, cobrindo aproximadamente um terço do custo de capital, além de ¥36 bilhões adicionais (US$230 milhões) ao longo de cinco anos para P&D—trazendo o suporte governamental total para o site de Hiroshima a ¥774,5 bilhões (~US$5 bilhões).
Os envios comerciais da fábrica expandida são direcionados para o verão de 2028. O projeto expandirá o espaço de sala limpa e capacidade de fabricação para HBM4E e gerações futuras, posicionando Micron para desafiar a participação de mercado HBM de 57% da SK Hynix e 22% da Samsung, com Micron atualmente em 21%. O cronograma reflete escassez sustentada de HBM: toda a produção de 2026 da Micron já está vendida sob contratos plurianuais, e a receita de data center do Q3 fiscal da empresa atingiu US$25 bilhões (mais de sua receita total um ano antes).
Para profissionais, o subsídio de US$3,2 bilhões do Japão sinaliza compromisso geopoliticamente para quebrar o monopólio HBM da Coréia do Sul; a fábrica também representa a primeira expansão major de Hiroshima da Micron desde 2019. O ramp de 2028 assume que o capex de infraestrutura de IA permanece sustentado—uma aposta de dois anos em uma indústria onde defasagem de cronograma é comum. Observe se Micron realmente aloca nova produção de HBM a novos clientes ou realoca da DRAM existente para perseguir maiores margens.