Catalunha formalizou a criação do InnoFAB, um centro de prototipagem de semicondutores avançados de €400 milhões, apoiado por fundos NextGenerationEU. Localizado no Parc de l'Alba ao lado do Síncroton Alba, InnoFAB apresentará uma sala limpa de 2.000 metros quadrados para fabricar prototipos de semicondutores avançados e produção de pequenas séries. A instalação ocupará quase 22.000 metros quadrados em quatro edifícios e deverá criar 200 postos de trabalho diretos, posicionando a Catalunha como um centro de referência para microtecnologias e nanotecnologias.
InnoFAB foi projetado para preencher a lacuna Lab-to-Fab, transformando inovações de laboratório em produtos industriais para setores estratégicos, incluindo eletrônica, saúde e energia. O projeto está integrado ao plano Catalonia Lidera, reforçando o posicionamento da região como referência europeia em inovação tecnológica e industrial com foco especial em semicondutores. A iniciativa está alinhada com objetivos da Lei Europeia de Chips para aumentar a soberania tecnológica e a capacidade de produção.
A Catalunha simultaneamente assumiu a presidência de 2026 da Aliança Europeia de Regiões de Semicondutores (ESRA), eleita por voto da maioria sobre outros candidatos. A região hospeda 260 empresas de semicondutores e entidades de pesquisa empregando 4.600 profissionais, com um portfólio de 22 projetos de investimento multinacional estrangeiro pendentes, representando potencialmente €1,6 bilhão de capital e 1.800 novos postos de trabalho em dois a três anos. Durante sua presidência de ESRA, a Catalunha impulsionará o marco regulatório para alcançar 20% da produção global de chips na Europa até 2030, alinhado com a Lei de Chips 2.0. Arquitetos de pilha e planejadores de cadeia de suprimentos rastreando capacidade de fábrica europeia e infraestrutura de prototipagem devem monitorar o cronograma de construção do InnoFAB em 2026 e o trabalho de implementação da Lei de Chips da ESRA.