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Corea del Sur anuncia megainversión de IA y chips de US$ 1T+, liderada por Samsung y SK Hynix hasta 2035

Corea del Sur desveló una estrategia industrial integral de semiconductores e IA el 29 de junio, anclada en $ 518 mil millones en inversión en fabricación de chips de Samsung Electronics y SK Hynix para construir dos nuevas fabs cada una en la región suroeste del país. El gobierno también asignó 81 billones de won ($ 52.5 mil millones) para un clúster de empaque de chips cerca de Seúl y respaldó 550 billones de won ($ 356 mil millones) en inversiones en centros de datos de IA del SK Group, GS Group y Naver por 2029. Para 2035, la nación apunta a una inversión total en centros de datos de IA superior a 1,000 billones de won ($ 648 mil millones), que respalda 18,4 gigavatios de infraestructura de computación.

El presidente Lee Jae Myung caracterizó la iniciativa como un 'gran salto adelante' en el 'eje triple' de semiconductores, IA física y centros de datos, posicionando a Corea del Sur para 'asegurar los elementos centrales de la IA más rápido que cualquier otro país.' La estrategia refleja la posición dominante de Samsung y SK Hynix en memoria de ancho de banda alto (HBM), ahora esencial para sistemas aceleradores de IA global. Los precios de las acciones de ambas chipmakers bajaron después del anuncio (Samsung -4.86%, SK Hynix -1.68%), y algunos analistas advierten que el aumento podría alimentar un exceso de oferta.

Para arquitectos que planifican gastos de capital en infraestructura de IA y cadenas de suministro de memoria, la apuesta de Corea del Sur señala escasez sostenida de capacidad de HBM durante la década y fragmentación geopolítica de la fabricación de chips. La próxima cotización en Nasdaq de SK Hynix ($ 29 mil millones) y la expansión sureña de Samsung fortalecen la posición de las firmas coreanas como indispensables para ecosistemas de GPU equivalentes a NVIDIA, limitando potencialmente el apalancamiento foundry de TSMC y reformulando dependencias de suministro de equipos para escala de nodos 2nm.

Fuentes