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Market · 07 ago 2026, 09:05 · 4 fuentes

SK Hynix aprueba capex de ₩54T para fabs Y2 DRAM y M17 NAND en medio del aumento de HBM

SK Hynix anunció el 7 de agosto que su junta directiva ha aprobado una inversión total de aproximadamente 54 billones de won coreanos ($38.1 mil millones) para construir dos nuevas plantas de fabricación de chips de memoria en respuesta a la creciente demanda impulsada por la IA. La fab Y2 Yongin recibirá 35.2 billones de won para producción de DRAM, con inicio de construcción en julio de 2027 y apertura de la primera sala limpia en junio de 2029. La fab M17 Cheongju recibirá 19.1 billones de won para producción de NAND, con inicio en febrero de 2027 y primera sala limpia en diciembre de 2028. Ambas instalaciones son parte del plan maestro previamente anunciado de SK Hynix para invertir 600 billones de won en Yongin y 100 billones de won en Cheongju hasta 2031.

La expansión se dirige directamente a memoria de alto ancho de banda (HBM) y DRAM de próxima generación para infraestructura de centro de datos de IA. SK Hynix compite globalmente con Samsung y Micron como uno de los tres mayores productores de memoria, y los tres han visto enormes aumentos de acciones impulsados por las expectativas de los inversores de desequilibrio de oferta y demanda persistente. Los precios de memoria han aumentado debido a la escasez de suministro frente a la enorme demanda de empresas que construyen infraestructura de IA y empresas de chips como Nvidia. Y2 será la segunda de cuatro fabs planeadas en el Clúster de Semiconductores Yongin; la empresa aceleró la finalización de los cuatro de 2045 a 2033.

SK Hynix señaló disciplina del lado de la oferta en la declaración: 'En la era de la IA, la competitividad tecnológica por sí sola no es suficiente y la capacidad de suministrar el volumen requerido en el momento exacto en que los clientes lo necesitan es la vantage competitiva final.' La inversión confirma la apuesta de SK Hynix en la demanda de capex de IA prolongada y posiciona a la empresa para capturar el crecimiento en los segmentos DRAM (prefill/caché KV) y NAND (almacenamiento de modelos). Para arquitectos, esta señal de capex refuerza que la disponibilidad de HBM sigue siendo un factor limitante para el despliegue de inferencia a escala, y que la expansión de suministro de memoria se queda atrás de la demanda en 18–24 meses.

Fuentes

Todo lo que sostiene esta nota
  1. 01 Primary source cnbc.com
  2. 02 prnewswire.com prnewswire.com “SK hynix Inc. announced today that it has decided to build new fabs in Yongin and Cheongju to respond to the continuously growing demand for memory in the AI era”
  3. 03 koreaherald.com koreaherald.com “SK hynix said Friday it will invest about 54 trillion won ($38.1 billion) to build new semiconductor fabs in Yongin and Cheongju”
  4. 04 kfgo.com kfgo.com “The company approved a total investment of approximately 54 trillion, 35.2 trillion won in Yongin Y2 fab and 19.1 trillion won in the Cheongju M17 fab”