Samsung presentó arquitecturas de memoria de próxima generación en FMS 2026 en Santa Clara, mostrando modelos conceptuales zHBM y zNAND-O junto con el V10 BV-NAND de 400+ capas, el primero de la industria. La empresa también comenzó a muestrear HBM4E a clientes en mayo tras la producción en masa de HBM4 en febrero.
zHBM apila memoria de alto ancho de banda directamente encima de aceleradores de IA, acortando la distancia física que viajan los datos entre cómputo y memoria. Samsung afirma que un sistema de interfaz de próxima generación que incorpora zHBM entregará aproximadamente 8x el desempeño de HBM5 mientras logra 10x la densidad de memoria, 3x mejor eficiencia energética y más de 50% menor resistencia térmica comparado con HBM5.
zNAND-O, también en desarrollo, combina almacenamiento y lógica en configuraciones de cuatro y ocho capas para aplicaciones de IA en edge que requieren procesamiento en tiempo real y baja latencia. V10 BV-NAND, el producto de corto plazo más concreto, utiliza unión de oblea para apilar más de 400 capas, entregando ~58% mayor densidad que la generación V9 anterior mientras mejora desempeño de lectura, escritura e E/S.
Samsung se posicionó como el único fabricante verticalmente integrado que abarca memoria, fundición y empaquetado avanzado, permitiendo soluciones llave en mano de punta a punta para infraestructura de IA. Los arquitectos que rastrean cuellos de botella de memoria en entrenamiento a gran escala e inferencia deben monitorear la línea de tiempo de colaboración con clientes de zHBM y la disponibilidad comercial de V10 BV-NAND, ya que ambas abordan el problema de distancia computación-memoria en el centro del diseño del acelerador de próxima generación.