Samsung Electronics y Broadcom firmaron un memorando de entendimiento el 24 de julio para una asociación estratégica estimada en más de $200 mil millones hasta 2030, cubriendo suministro de memoria de alto ancho de banda y servicios avanzados de foundry. Samsung suministrará memoria HBM4 e HBM4E de próxima generación para potenciar los próximos aceleradores de IA de Broadcom, mientras que su brazo de foundry fabrica los productos de Broadcom en nodos de proceso de 2 nanómetros e inferiores. El acuerdo también cubre empaque avanzado 2.3D y 2.5D para integración más cercana de memoria-a-lógica.
El acuerdo refleja suministro apretado de memoria de IA: la escasez global de memoria ha impulsado los precios de DRAM y NAND hasta 50–95% trimestre a trimestre en 2026 temprano, con suministro esperado permaneciendo restringido hasta 2027. Samsung, que se quedó atrás en rendimientos de HBM inicialmente, ahora co-desarrolla HBM4E (apuntando a 64GB, apilamiento de 16 capas, pines de 16Gbps) para competir con el bloqueo de suministro de SK Hynix con Nvidia. Broadcom gana resiliencia de suministro y acceso a las capacidades integradas verticalmente de memoria y empaque de Samsung para chips de IA personalizados.
Parte de un paquete más amplio de cooperación de semiconductores Corea–EE. UU. de $950 mil millones anunciado el mismo día—con SK Hynix comprometiendo $750 mil millones solo para Nvidia. Para arquitectos, esto estabiliza la disponibilidad de HBM para ecosistemas no-Nvidia (AMD, aceleradores personalizados Broadcom) y señala el regreso de Samsung como proveedor de memoria premium creíble después de años de perder participación a competidores.