Micron Technology anunció un compromiso de $250 billones para manufactura estadounidense hasta 2035, un aumento de $50 billones de su compromiso anterior de $200 billones e impulsado por demanda récord de memoria de IA. El gasto expandido apunta a producción de DRAM avanzado en Nueva York, Idaho y Virginia, con el objetivo de producir el 40% del DRAM global de Micron doméstico hasta 2035. El campus de fab de Nueva York cerca de Syracuse—ahora funcionando por delante del cronograma—se espera que se convierta en el sitio de manufactura de semiconductores más grande en la historia de EE.UU. con hasta cuatro fabs y 50 mil empleos creados.
Como parte del compromiso, Micron está invirtiendo $3 billones para fortalecer el ecosistema de cadena de suministro de semiconductores estadounidenses, incluyendo $500 millones en financiamiento estratégico para GlobalWafers para expandir su instalación de oblea de silicio de 300mm en Texas, respaldado por un acuerdo de suministro de 10 años. Se espera que la salida del primer wafer de las fabs de Micron en Idaho sea a mediados de 2027 (primer fab) y finales de 2028 (segundo fab). La empresa también anunció acuerdos de suministro de memoria a largo plazo con Ford y General Motors, asegurando $22 billones en pedidos de clientes comprometidos y posicionando a Micron como proveedor crítico para cargas de trabajo automotrices y de data center.
Para arquitectos: esto señala confianza en computación de IA restringida por memoria hasta los 2030. Las acciones de Micron se dispararon casi 250% en el año y alcanzaron cap de mercado de $1 billón en mayo; este compromiso de capex expandido refleja demanda sostenida de hiperscalers e infraestructura de IA. Combinado con compromiso de $880B de Samsung/SK Hynix y proyección de 90 mil+ empleos de Micron, la escasez de memoria ahora impulsa un ciclo de reshoring de una década para DRAM y HBM—espere que los precios permanezcan elevados pero las curvas de suministro se ajusten hasta 2028-2029 cuando se activa la capacidad.